次世代不揮発性メモリ（MRAM・FeRAM・ReRAM）とは？
次世代不揮発性メモリ（MRAM・FeRAM・ReRAM）とは、電源を切っても内容が消えず、フラッシュメモリより高速で書換え回数の制限も緩い記憶素子。MRAMは磁気の向き、FeRAMは強誘電体の分極の向き、ReRAMは抵抗値の変化で情報を保持する。
じせだいふきはつせいめもり
次世代不揮発性メモリ（MRAM・FeRAM・ReRAM）の意味
電源を切っても内容が消えず、フラッシュメモリより高速で書換え回数の制限も緩い記憶素子。MRAMは磁気の向き、FeRAMは強誘電体の分極の向き、ReRAMは抵抗値の変化で情報を保持する。
次世代不揮発性メモリ（MRAM・FeRAM・ReRAM）の具体例
電源が突然落ちうる組込み機器や産業用機器で、設定値や計測値の保存に使われる。書込みが速いので、動作のたびに値を保存する使い方をしても処理を長く止めずに済む。
次世代不揮発性メモリ（MRAM・FeRAM・ReRAM）は試験でどう引っ掛けられる？
不揮発性メモリ＝フラッシュメモリ、と決めつけないこと。またこれらは容量単価が高いため、主記憶や大容量ストレージをそっくり置き換える段階には至っていない点も押さえる。
次世代不揮発性メモリ（MRAM・FeRAM・ReRAM）と関連する用語
最終更新：2026-08-25／解説は資格暗記が独自に作成しています。 過去問の出典は各問題に記載のとおりです。