フラッシュメモリとウェアレベリングとは？
フラッシュメモリとウェアレベリングとは、フラッシュメモリは電気的に一括消去できる不揮発性メモリで、読み書きはページ単位、消去はより大きなブロック単位という非対称な特性を持つ。書き換え回数に上限があるため、特定領域への書き込み集中を避けて全体へ均等に分散させる制御がウェアレベリングである。
ネットワークスペシャリスト試験の過去問では1回出題されています。
ふらっしゅめもりとうぇありべりんぐ
フラッシュメモリとウェアレベリングの意味
フラッシュメモリは電気的に一括消去できる不揮発性メモリで、読み書きはページ単位、消去はより大きなブロック単位という非対称な特性を持つ。書き換え回数に上限があるため、特定領域への書き込み集中を避けて全体へ均等に分散させる制御がウェアレベリングである。
フラッシュメモリとウェアレベリングの具体例
SSDでは、論理的には同じ番地への上書きでも、コントローラが物理的には別の空きページへ書き、旧ページを無効として後でまとめて消去する。この整理が追いつかないと書き込み性能が落ちるため、あらかじめ予備領域を確保し、TRIMコマンドで不要ページを通知する。
フラッシュメモリとウェアレベリングは試験でどう引っ掛けられる？
NAND型は大容量・逐次アクセス向きで記憶装置に、NOR型はランダム読み出しが速くプログラム格納に向く、という使い分けを押さえる。またウェアレベリングは寿命を延ばす制御であって、書き換え回数の上限そのものを無くすものではない。SSDは可動部が無く耐衝撃性やアクセス時間で有利だが、書換え寿命があるためHDDの完全な上位互換ではない。ウェアレベリングで物理的な書込み位置が変わるため、単純な上書きではデータの消去が保証されない点も実務上の要注意。
フラッシュメモリとウェアレベリングと関連する用語
フラッシュメモリとウェアレベリングが出た過去問
MLC（Multi-Level Cell）フラッシュメモリの特徴として、適切なものはどれか。
正解：一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。
要点：MLCは1セルに2ビット以上を記憶する方式
MLCは、1つのメモリセルに蓄える電荷量を多段階に分けることで、2ビット以上の情報を記憶する方式である。1セル1ビットのSLCに比べて容量当たりの単価が安い一方、書換え可能回数が少なく、読み書きの速度や信頼性でも劣る。
出典：平成29年度 秋期 ネットワークスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問22（IPA）
最終更新：2026-08-25／解説は資格暗記が独自に作成しています。 過去問の出典は各問題に記載のとおりです。