フラッシュメモリとは?
フラッシュメモリとは、電気的に一括消去と書換えができる不揮発性メモリ。ブロック単位で消去してからページ単位で書き込む構造のため、読出しに比べ書込みが遅く、書換え回数にも上限がある。1セルに1ビットのSLCと多ビットのMLC・TLCがあり、多値ほど大容量だが寿命は短い。
高度試験・午前I(全区分共通)の過去問では1回出題されています。
ふらっしゅめもり
フラッシュメモリの意味
電気的に一括消去と書換えができる不揮発性メモリ。ブロック単位で消去してからページ単位で書き込む構造のため、読出しに比べ書込みが遅く、書換え回数にも上限がある。1セルに1ビットのSLCと多ビットのMLC・TLCがあり、多値ほど大容量だが寿命は短い。
フラッシュメモリの具体例
SSD、USBメモリ、スマートフォンの内蔵ストレージに使われる。書換えの偏りで一部のブロックだけが先に寿命を迎えることを防ぐため、コントローラがウェアレベリングを行って書込み先の物理ブロックを分散させている。
フラッシュメモリは試験でどう引っ掛けられる?
既に書かれたページへそのまま上書きはできず、消去処理を伴う点を見落としやすい。またEEPROMはバイト単位で消去できるのに対し、フラッシュメモリは消去がブロック単位である点が両者の違いになる。
フラッシュメモリと関連する用語
フラッシュメモリが出た過去問
15Mバイトのプログラムを圧縮した状態でフラッシュメモリに格納している。プログラムの圧縮率が40%,フラッシュメモリから主記憶への転送速度が20Mバイト/秒であ…
正解:0.48
要点:圧縮データは転送量も展開時間も圧縮後サイズを基準に計算する
圧縮率40%なので、フラッシュメモリ上のデータ量は15Mバイト×0.4=6Mバイトである。転送に6÷20=0.3秒、展開に圧縮データ1Mバイトあたり0.03秒なので6×0.03=0.18秒かかる。両者は同時に行われないので合計0.3+0.18=0.48秒となる。
出典:平成29年度 春期 高度共通_午前I試験 am1 問4(IPA)
最終更新:2026-08-25/解説は資格暗記が独自に作成しています。 過去問の出典は各問題に記載のとおりです。