フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

選択肢

• ア高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリに用いられる。
• イ紫外線で全内容の消去ができる。
• ウ周期的にデータの再書込みが必要である。
• エブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

正解と解説

正解：エ ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。

フラッシュメモリはEEPROMの一種で、電気的にデータを消去できる不揮発性メモリです。消去は1ビット単位ではなくブロック単位でまとめて行う構造になっており、この点が書換え速度や書換え回数の制限につながっています。電源を切っても内容が保持されるため、再書込みは不要です。

選択肢ごとの解説

• アキャッシュメモリに使われるのは高速なSRAMです。
• イ紫外線で消去するのはUV-EPROMの特徴です。
• ウ周期的な再書込み（リフレッシュ）が必要なのはDRAMです。
• エ正解。電気的な消去をブロック単位で行う不揮発性メモリです。

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