フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として、適切なものはどれか。

選択肢

• ア各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択する。
• イ記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録する。
• ウ不良のブロックを検出し、交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
• エブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込む。

正解と解説

正解：ア 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択する。

フラッシュメモリは同じブロックに書換えを繰り返すと寿命に達して使えなくなる。ウェアレベリングは、論理的な書込み先を実際の物理ブロックに割り当て直し、各ブロックの消去・書込み回数がなるべく均等になるよう分散させる制御である。これにより素子全体の寿命を延ばす。

選択肢ごとの解説

• ア書込み回数を各ブロックへ均等に散らす制御であり、ウェアレベリングの定義。
• イ1セルに多値を記録する多値化（MLCなど）の説明で、寿命の平準化ではない。
• ウ不良ブロックを代替領域で置き換える代替処理の説明である。
• エフラッシュメモリの書換え手順一般の説明であり、平準化の仕組みではない。

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