バイポーラトランジスタが能動領域で直流増幅しているときの動作の説明として、適切なものはどれか。ここで、ベース(B)からエミッタ(E)に流れる電流をIB、コレクタ(C)からエミッタに流れる電流をIC、ベース-エミッタ間の電圧をVBE、コレクタ-エミッタ間の電圧をVCEとする。

能動領域ではIC=hFE×IBでベース電流に比例する

エンベデッドシステムスペシャリスト試験2025年度 秋期 午前II10/センサ・制御 / 回路要素

バイポーラトランジスタ(NPN型)の回路図。ベースBに電流IB流入、コレクタCから電流がIcとして流れ込み、エミッタEへ流出。B-E間の電圧がVBE、C-E間の電圧がVCEとして矢印で示されている。
バイポーラトランジスタ(NPN型)の回路図。ベースBに電流IB流入、コレクタCから電流がIcとして流れ込み、エミッタEへ流出。B-E間の電圧がVBE、C-E間の電圧がVCEとして矢印で示されている。

選択肢

正解と解説

正解: IBの変化に正比例してICが変化する。

バイポーラトランジスタが能動領域で動作しているとき、コレクタ電流ICはベース電流IBに直流電流増幅率hFEを掛けた値になり、両者はほぼ比例する。すなわち小さなベース電流の変化が大きなコレクタ電流の変化を生む電流制御素子として働く。VBEとICの関係は指数関数的であり比例ではない。

選択肢ごとの解説

出典:令和7年度 秋期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前II 問10(IPA)

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最終更新:2026-08-25/解説・選択肢ごとの解説は資格暗記が独自に作成しています。問題文と選択肢の出典は上記のとおりです。