相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。

選択肢

• ア一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
• イ結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
• ウフリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
• エリフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ

正解と解説

正解：イ 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ

相変化メモリ（PRAM／PCM）は、カルコゲナイド系材料が結晶状態と非結晶（アモルファス）状態とで電気抵抗が大きく異なる性質を利用して情報を記憶する。電源を切っても状態が保たれる不揮発性メモリであり、書換え可能でリフレッシュも不要である。書換え可能な光ディスクと同じ相変化の原理を電気抵抗の読取りに応用したものである。

選択肢ごとの解説

• ア一度だけ書込み可能なのはPROMやライトワンス媒体の特徴。
• イ正しい。結晶／非結晶の抵抗差を利用する不揮発性メモリである。
• ウフリップフロップで構成する揮発性メモリはSRAMの説明。
• エリフレッシュが必要な揮発性メモリはDRAMの説明。

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