FeRAMの説明として、適切なものはどれか。

選択肢

• ア1ビットのメモリセルは4〜6個のトランジスタで構成される。
• イデータ保持のためにリフレッシュが必要である。
• ウバイト単位で書換えができず、ブロック単位で一括して書き換える。
• エフラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。

正解と解説

正解：エ フラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く、書換え速度も高速にできる。

FeRAMは強誘電体の分極方向でデータを保持する不揮発性メモリで、電源を切っても内容が残り、リフレッシュも不要である。フラッシュメモリのように高電圧でブロック単位に消去する必要がなく、バイト単位に高速で書き換えられ、書換え可能回数も桁違いに多い。頻繁に書き換わる設定値やログの保存に向く。

選択肢ごとの解説

• ア複数のトランジスタでセルを組むのはSRAMの構造である。
• イリフレッシュが必要なのはDRAMで、FeRAMは不揮発でリフレッシュ不要である。
• ウブロック単位でしか消去できないのはフラッシュメモリの制約である。
• エ正しい。フラッシュより書換え回数が多く、書換えも高速に行える。

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